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现在5G已經成為全球關註的壹個熱題焦點，咱也蹭蹭熱度，各人都知道，5G相比於4G下載速率要提升至少9～10倍，在5G網絡時代，不管什麽樣的5G承載计划都離不開5G通讯器件，而5G對於光器件的要求也越來越高，體積小，集成度高，速率高，功耗低，針對5G前傳、中傳和回傳主要常用的器件速率有25G、50G、100G、200G以及400G光器件，其中25G和100G光器件是應用最為廣泛的5G通讯器件。

速率越來越高，體積越來越小，這是光器件發展的一定趨勢，同時也給光器件內部熱治理帶來較高要求，怎样快速有用的進行散熱是個必須嚴肅對待的問題。

一、散熱

為什麽要考慮熱設計？

眾所周知，我們的光電芯片在事情時，並不會將註入電流100％轉換成輸出光電子，壹部分將會以熱量的方法作為能量損耗，若是大宗的熱不斷積累，無法及時扫除，將會對元器件性能產生諸多倒运影響，壹般而言，溫度升高電阻阻值下降，降低器件的使用壽命，性能變差，质料老化，元器件損壞；另外高溫還會對质料產生應力變形，可靠性降低，器件功效失常等。

我曾見識過某公司QSFP－DD 200G模塊，對器件進行耦合封裝時，模塊燙到手無法觸碰，溫度最起碼有80℃，只能壹邊耦合，壹邊使用散熱風扇，才华穩住器件功率，以是在考慮器件封裝結構時，熱設計是其中很主要的考慮因數之壹。

我們先普及下熱量傳遞的三種基本方法：熱傳導、熱對流、熱輻射

熱傳導：物體各部分之間不發生相對位移時，依赖分子、原子及自由電子等微觀例子的熱運動而產生的熱量稱為導熱。好比，芯片通過底下的熱沈進行散熱，光器件通過散熱矽脂接觸外殼散熱等，都屬於熱傳導。

芯片通過熱沈熱傳導

器件通過散熱矽脂熱傳導

二、熱設計的基礎知識

熱傳導過程中傳遞的熱量凭证Fourier導熱定律計算：

Q＝λA（Th－Tc）／δ

其中：A為與熱量傳遞偏向笔直的面積，單位為m²；

Th與Tc分別為高溫與低溫面的溫度；

δ為兩個面之間的距離，單位為m；

λ為质料的導熱系數，單位為W／（m*℃）

從公式可以看出，熱傳導過程跟散熱面積、质料的厚度、導熱系數，還有接觸面與散熱面的溫度差等有關系，面積越大，质料越薄、導熱系數越大，熱傳導傳遞熱量越強。

壹般說，固體的導熱系數大於液體，液體的大於氣體。例如常溫下純銅的導熱系數高達400 W／（m*℃），純鋁的導熱系數為210W／（m*℃），水的導熱系數為0.6 W／（m*℃），而空氣僅0.025W／（m*℃）左右。鋁的導熱系數高且密度低，以是散熱器基本都接纳鋁合金加工，但在壹些大功率芯片散熱中，為了提升散熱性能，常接纳鋁散熱器嵌銅塊或者銅散熱器。

舉幾個生涯中的熱傳導例子：

①鍋炒菜，鐵鍋導熱很快將菜炒熟；

②小時候，門口賣冰棒用棉被裹住，冰棒長時間不會融化，棉被導熱差；

下圖匯總了壹些常用质料作為熱沈的性能對比：

我們針對熱沈质料的選用規則：

（1）熱導率要高；

（2）與芯片的熱膨脹系數相匹配；

從以上表格看出，熱導率較高，熱膨脹系數與芯片材質相匹配的有：鎢銅合金、金剛石、氧化鈹、氮化鋁，經濟本钱考慮现在應用最為廣泛的：銅、鎢銅、氮化鋁等。

對流換熱：是指運動著的流體流經溫度與之差别的固體外貌時，與固體外貌之間發生的熱量交換過程，這是通讯設備散熱中應用最廣的壹種換熱方法。

對流換熱主要分為自然對流換熱和強制對流換熱兩類：

自然對流：主要使用崎岖溫流體密度差異造成的浮升力做動力交換熱量，是壹種被動散熱方法，適用於發熱量較小的環境。而在手機、光模塊等終端產品中主要是自然對流換熱為主。

強制對流換熱：通過泵、風機等外部動力源加速流體換熱速率所造成的壹種高效散熱方法，需要額外的經濟投入，適用於發熱量較大、散熱環境較差的情況；在機櫃或交換機中事情的光模塊通常接纳的風扇冷卻散熱就是典范的強制對流換熱。

生涯中的示例：

1、電茶壺燒水時，打開蓋子時，可看到熱水和冷水的對流；

2、打開剛用熱水泡的茶，可以看到空氣對流。

熱輻射：指通過電磁波來傳遞能量的過程，熱輻射是由於物體的溫度高於絕對零度時發出電磁波的過程，兩個物體之間通過熱輻射傳遞熱量稱為輻射換熱。物體的輻射力計算公式為：

E＝5.67e－8εT4

物體外貌之間的熱輻射計算是極為復雜的，其中最簡單的兩個面積相同且正對著的外貌間的輻射換熱量計算公式為：

Q＝A*5.67e－8／（1／εh＋1／εc－1）*（Th4－Tc4）

公式中：T指的是物體的絕對溫度值＝攝氏溫度值＋273.1；

ε是外貌的黑度或發射率。

發射率取決於物質種類，外貌溫度和外貌狀況，與外界條件無關，也與顏色無關。將印制電路板外貌塗敷綠油，其外貌黑度可以達到0.8，這有利於輻射散熱。對於金屬外殼，可以進行壹些外貌處理來提高黑度，強化散熱。可是需要註意的是，將外殼塗黑並不可壹定強化熱輻射，因為在物體溫度低於1800℃時，熱輻射波長主要集中於0.76～20μm紅外波段範圍內，可見光波段內的熱輻射能量比重並不大。以是將模塊外殼或內部塗黑只能增強可見光輻射吸收，與帶來熱量的紅外輻射無關。

生涯中示例：

1、當妳在火爐邊上時，會有灼熱感；

2、陽的照射產生熱量。

三、光器件熱剖析

器件整體散熱路徑：

光器件事情時的熱環境如下圖所示�？刹灏喂馐瞻l模塊插入面板之後，內部產生的熱量壹小部分由周圍空氣的自然對流散熱，大部分則是通過傳導的方法散熱，熱量總是由溫度高的壹端傳遞到溫度低的壹端，模塊熱量向上傳遞至封裝外殼，向下傳遞至主板。下圖光模塊的封裝結構整體示意圖，剖析模塊的主要散熱路徑。

光器件內部散熱路徑：

內部主要發熱組件包括TOSA發射組件、ROSA吸收組件、PCB板上器件及IC控制芯片。芯片產生的熱量主要通過頂部①和底部③以及側面②散熱，而經過引線框架從兩側面傳導到外界的熱量②，實際上由於①、②太小可忽略不計，為提高模塊整體散熱效率，需盡可能提高③的散熱能力，減小各路徑中熱阻的巨细和提高其導熱系數。

芯片散熱路徑

光器件散熱的主要影響因素：

通過對光器件的內外部分析，可知影響光器件散熱主要影響因素如下：

（1）做功器件的熱量及時導出：對於熱流密度較大的器件如芯片和激光下方的PCB板進行過孔塞銅或嵌銅塊處理，提高熱沈的導熱系數。

（2）殼體導熱系數：在相同散熱條件下，提高殼體導熱系數有利於降低器件殼溫，同時有利於降低模塊殼體和散熱器之間的溫差。

（3）器件结构：縮短散熱片基板與發熱組件之間的距離，有利於降低器件殼溫及器件殼體和散熱器之間溫差。

（4）接觸熱阻：器件殼體與散熱器之間的接觸熱阻是器件散熱的主要影響因素。降低接觸熱阻有利於提高器件的散熱性能，進而降低器件殼溫及器件殼體與散熱器之間的溫差。

（5）散熱器與器件殼體的接觸面積：通過增添散熱器接觸面長度，器件殼溫及器件殼體與散熱器之間的溫差可以降低約1－2℃。

四、熱仿真示例

1．以TOSA為例，通過差别Receptacle的結構設計可以看出溫度隨時間變化曲線，如下圖所示，通過熱仿真得知兩種結構溫度差異達到5℃左右。

最後我們針對现在光通讯散熱基材應用最為廣泛的莫屬氮化鋁陶瓷基板，我們下壹章將重點講解氮化鋁陶瓷基板的性能特點、制成工藝、陶瓷基板金屬化工藝以及應用實例等等，請小夥伴們敬請期待奧！